7nm风险试产在即,为何没了音信,是在留后手

日期:2021-04-16 21:08:29   来源:互联网   编辑:小优   阅读人数:171

全球最大的芯片代工厂,非台积电莫属。得益于的其手中掌握着最先进的芯片技术优势,所以使得在全球范围内台积电的地位毋庸置疑。目前台积电已经嵌入到了5纳米芯片,并且将会很快是量产3纳米芯片。可以说,作为全球第一大芯片代工厂,台积电拿下了全球超过一半以上的芯片订单。

中芯国际发展势头猛烈

而排在台积电之后的当然就是我们的老朋友三星了。三星对于台积电来讲,算是一个最为强大的对手。三星一直都在不断追赶台积电的步伐,如今的三星也已经能够量产7纳米、5纳米制程芯片,并且3纳米上使用了最新的GAA技术,三星这样做无疑是想要超越台积电,只不过一直以来台三星都比台积电晚了一步,并且在产5纳米制程的良品率以及产能上比起台积电还是要差一点。说起来台积电能够一直保持技术优势的最大原因,其实就在与光刻机的问题上。

7nm风险试产在即,为何没了音信,是在留后手(图1)

全球能够生产出EUV光刻机的企业,只有荷兰的ASML,巧的是,台积电刚好是ASML的股东之一,所以台积电是有优先获取台积电EUV光刻机的权利的。

7nm风险试产在即,为何没了音信,是在留后手(图2)

而在中国国内,中芯国际则是唯一的芯片制造企业,在全球也能够排名第四名。虽然比起工艺来讲,中芯国际的确是要差很多,但是中芯国际最近几年来的发展是非常不错的。

7nm风险试产在即,为何没了音信,是在留后手(图3)

从28纳米到七纳米芯片的任务,中芯国际仅仅用了三年的时间就已经完成,要知道这是其他企业在十年之前都完不成的任务,当初,台积电从28纳米到14纳米就已经花了十几年的时间。所以如此看来,中芯国际的实力还是非常强大的。

7nm风险试产在即

目前来讲,中芯国际已经能够量产14纳米以及n+1工艺的芯片,其中14纳米芯片的良品率已经基本上与台积电追评,而其所研发的N+1工艺也已经相当于低耗版的7纳米芯片。

7nm风险试产在即,为何没了音信,是在留后手(图4)

关于这种7nm,早就在去年,梁孟松就曾经表示过,中芯国际目前已经完成了7纳米芯片的任务,将会在今年的4月份进行风险试产。

7nm风险试产在即,为何没了音信,是在留后手(图5)

时间过的飞快,如今已经进入到了4月的中旬。月初的时候,中芯方面也传来了几个,比如梁孟松继续留任中芯国际担任执行董事,联席CEO,比如花了12亿美元购买了阿斯麦的的DUV光刻机设备技术。并且表示,虽然不是最先进的EUV光刻机,但是凭借DUV光刻机经过多次曝光,也是能够量产出7nm芯片的。毕竟台积电是前车之鉴,所以中芯国际这边还是比较有信心的。

7nm风险试产在即,为何没了音信,是在留后手(图6)

可是让看着7纳米芯片试产在即,中芯国际却没了音信。那么这到底是为什么呢?中芯国际没了音信是在留后手,美国对于国内的打压从未停止,除了将部分先进半导体企业列入实体清单之后,最近又将其家半导体企业列入了实体清单之中。这其中就包括中芯国际。

为何没了音信?

一直以来,中芯国际在原材料,设备以及技术方面都非常依赖于美国。而美国自然也是看到了中芯的发展势头,所以才会对其进行打压。中芯国际早前就曾经表示过,如果美国不放许可证的话,那么想要在10 纳米以下制程发展,中芯国际所面临的问题是非常大的,不过也并不是没有可能的。

7nm风险试产在即,为何没了音信,是在留后手(图7)

在进入2021年之后,面临美国的无端打压限制,中芯国际变得越来越低调。所以中芯国际此次才会在7纳米风险试产在即的关头没了音信,主要主要还是想要留后手,以免再次被美国盯上。

外部环境实在是太过复杂,中芯国际决定低调行事,在这个关键点,如果一旦被美国盯上,再次将中芯国际列入实体清单,那么7nm风险试产将会化为泡影,而国内芯片的发展也将会进入到一种停滞不前的状态。

7nm风险试产在即,为何没了音信,是在留后手(图8)

再加上中芯国际如果能真的能够完成7纳米的风险试产,那么光是国内的订单就能够满足其所有的产能,所以对于中芯国际来讲根本就无需进行宣扬,因为中芯国际没有必要去接受国外企业的订单。

因此,中芯国际没了音信,并非是放弃了对于7nm的风险试产,而是想要保持低调,是在留后手,悄悄的将7nm进行试产出来,这样一来,就能够避免在这个关键节点上再次被美进行打压。

本文相关词条概念解析:

芯片

指内含集成电路的硅片,体积很小,常常是计算机或其他电子设备的一部分。芯片(chip)或称微电路(microcircuit)、微芯片(microchip)、集成电路(英语:integratedcircuit,IC),在电子学中是一种把电路(主要包括半导体设备,也包括被动组件等)小型化的方式,并通常制造在半导体晶圆表面上。前述将电路制造在半导体芯片表面上的集成电路又称薄膜(thin-film)集成电路。另有一种厚膜(thick-film)混成集成电路(hybridintegratedcircuit)是由独立半导体设备和被动组件,集成到衬底或线路板所构成的小型化电路。

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